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mos管栅极电阻和电位器一般多大
1、V、38A、100Ω。55V：最大漏极电压是55V，限制了管子在漏极-源极之间的最大电压。38A：最大漏极电流是38A，表示在指定电压下管子可以安全通过的最大电流。
2、mos栅极与源极之间的泄放电阻一般是5K到10K，那么并联的mos栅极与源极的泄放电阻是每个都用5k-10k还是加起来5k-10k。
3、一般R5大概在10R-220R之间吧。很显然，R4+R5等于栅极驱动电阻。
4、缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。
5、用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。
6、大功率mos管(不仅仅是irfp4468)在开通和关断时基本不需要多大栅极电流，因为只是给寄生电容（P法级）充放电而已，栅极电阻倒是必要的，几百欧姆足以。
场效应管的栅极偏置电阻怎么选合适?
栅极电阻只是用于给栅级注入电荷或者抽干电荷，所以这个电阻大小应该以你所需要的信号上升、下降时间来选择。
分压式偏置电路的两个分压电阻可选小一点十几K即可，以提高电路的稳定性。栅极电阻可选很大一般常用一至十兆欧，以提高输入电阻。
对于场效应管来说，栅极输入端所加的电阻可以高一些，几百千欧或者几兆欧都可以。
一：计算下偏置电阻R2值Ube：三极管基极发射极电压，锗晶体三极管约为0.2V；硅晶体三极管约为0.6-0.7V。
那个是栅极防振电阻吧？这电阻一边几百欧。只要空间没问题，用大功率等级的肯定比小的好。
场效应管是压控型器件，控制极即栅极的内部电阻非常大，几乎等效于电容特性。那么栅极的外接电阻的取值范围比较宽，功率要求几乎没有，电阻的稳定性和一致性应该适当较高要求。
IGBT驱动栅极电阻如何确定
栅极电阻功率的确定 栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定，一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。
用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。
到120K。根据查询相关信息显示电磁炉igbt栅极串联在常温情况下数值在80到120K左右浮动。电磁炉又称为电磁灶，1957年第一台家用电磁炉诞生于德国。1972年，美国开始生产电磁炉，20世纪80年代初电磁炉在欧美及日本开始热销。
IGBT的栅极电阻是连接到IGBT内部G极的电阻，其中又有外部和内部之分，外部栅极电阻是驱动板上外接的电阻，内部栅极电阻每个IGBT内部集成固有的，具体值可以查看技术手册。IBGT的栅极电阻影响IGBT开关快慢及开关损耗。
MOS管栅极电阻的选取可以通过以下步骤进行：确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。
到此，以上就是小编对于电子管栅地放大电路的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
